Brainsway深部經顱磁刺激系統H型
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- 產品參數
Brainsway深部經顱磁刺激系統H型
Brainsway深部經顱磁刺激線圈
DTMS系統中的H型線圈是一個特殊的設計，多個線圈元素定向與頭皮表面相切，使不相切的線圈元素盡量減少。底座靈活，使得線圈符合頭皮的曲率*大磁耦合。當線圈放電時，不同元素一致活動，局部感應磁場相互結合，形成更深，更寬的完整的磁場。而這個磁場相比較其他TMS線圈，它的衰減速度非常慢。
功能特點：
剌激深度大于6cm ， 可高*剌激大腦深部核團；
深部聚焦，不損傷表層皮質 ；
結構多樣，可以根據不同的剌激區域 ，改變不同的結構形態特征；
底座設計可減弱靜電場對脈沖磁場的影響 ；
磁場衰減速度慢；
種類多樣，可根據不同病癥選擇不同類型的H線圈；
智能冷空氣降溫技術；
通過FDA、CE認證